Leistungstransistoren Paralell schalten, gute Idee Bernd.
Heute werde ich den bestellen IRF840 einbauen. Momentan ist ein IRF 8030 verbaut. Ja mit Lüfter hatte ich schon gedacht, aber der Platz ist sehr sehr begrenzt.
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Eine Auktion hatte ich verpasst. 74 Euro guter Preis.....
Röhrennetzteil / Anodenspannung Netzgerät Regelnetzteil * 0 – 300 V / 400 mA DC
Das Gerät liefert an zwei parallel geschalteten Ausgängen eine in Stufen von 1 Volt zwischen 1 und 300 V einstellbare und elektronisch aufwändig stabilisierte Ausgangsspannung / Anodenspannung / Hochspannung. Die maximal entnehmbare Stromstärke beträgt 400 mA, kann aber ebenso ab 1 mA in Stufen von 1 mA programmiert werden.
Das Mosfet MUS ISOLIERT auf dem Kühlkörper montiert werden, da sonst die Volle Spannung am Kühlkörper anliegt. Hier im Bild zu sehen, dass die Isolierung fehlt.
im Endaufbau , ja. Aber bei dem gezeigten Laborversuch nicht.
Übrigens, spannungsfeste FETs finden sich oft in alten Röhrenmonitoren und Schaltnetzteilen. Bei Schrottgeräten nur mit etwas Mühe verbunden. Und da fliegt so viel weg - schade drum.
ich würde den IRF ohne Isolierung auf das Kühlblech setzten. Die meisten IRFs sterben den Hitzetod bei spontaner starker Belastung, eine zügige Wärmebleitung ist das Wichtigste. Auf den Kühlkörper kann man ja für Servicefälle einen Warnaufkleber bappen. Das Ganze verschwindet später doch eh in einem Gehäuse.
dann müßte er aber auch von außen gegen Berührung geschützt werden - thermisch ungünstig bei dem "kleinen" Kühlkörper. Trotzdem gab es im Versuchsaufbau nichts zu meckern.
Ich schließe mich da voll der Meinung von Stefan an. Gerade bei klein dimensionierten Kühlkörpern ist eine optimale Kühlung nötig. Da wirken sich Isolierscheiben ungünstig aus. Den Berührungsschutz übernimmt dann das Gehäuse.
Wer an 300 Volt spielt, gibt das Spielen nach kurzer Zeit von selber auf.
noch ein kleiner Tipp bei der Beschaltung von Leistungs-FETs. Diese verhalten sich sehr ähnlich wie steile Endröhren und haben daher auch die nette Eigenschaft, dass sie je nach Schaltung und Typ gerne wilde Schwingungen produzieren. Diese können durch einen Seriewiderstand direkt am Gate (so wie der Gitter-Vorwiderstand bei Endröhren) verhindert werden, der Wert ist so 10..100 Ohm. Bei parallelgeschalteten FETs sollte jeder seinen eigenen Widerstand haben, sonst bringt es nichts.
Beim Parallelschalten von FETs im linearen Arbeitsbereich ist noch zu beachten, dass es da einen thermisch instabilen Bereich gibt, denn die Gate-Schwellspannung nimmt mit steigender Temperatur ab. Bei FETs mit grosser Steilheit besteht dann die Gefahr, dass der wärmste FET am meisten Strom zieht und die anderen arbeitslos werden, daher sollte man FETs mit eher kleiner Steilheit wählen. In den Datenblättern ist teilweise auch der Verlauf der Schwellspannung über die Temperatur angegeben, so dass man die Asymmetrie bei unterschiedlichen Temperaturen abschätzen kann. Das Problem tritt vor allem bei grossen Spannungen und kleinen Strömen auf. Bei Anwendungen, wo die FETs geschaltet werden, tritt das Problem nicht auf, da der Innenwiderstand des eingeschalteten FETs mit der Temperatur ansteigt und sich so der Strom automatisch verteilt.
Ja, ja, die Isolierung! Ich habe meinen IRF mit Glimmerplatte und beidseitigem Auftrag von Wärmeleitpaste montiert. Danach stellte ich aber fest, daß ich die Schraube nicht mit einem Kunststoffisolator befestigt hatte. Das werde ich bei der Endmontage noch ändern! Besser ist Besser!
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