ich habe eine Oszillator Schaltung mit zwei J310 Transistoren aufgebaut (Oszillator + Buffer).
1) Der erste Schaltungsaufbau auf einer geätzten Platine lieferte sauber im ganzen Frequenzband eine konstante Leistung.
2) Bei einer zweiten Platine, alles gleich, nur die J310 sind von einem anderen Hersteller, liefert die Schaltung am Bandanfang ca. die gleiche Leistung wie o.g., aber ab der Bandmitte Richtung Bandende geht die Leistung steil nach unten weg bis 0mW.
Wenn ich dann die Transistoren wie in der ersten Schaltung einbaue, arbeitet die Schaltung ganz normal wie der erste Aufbau - also gehe ich davon aus dass die Transistoren entweder Fakes sind oder einen anderen Arbeitspunkt haben.
Ich habe bis jetzt alles probiert was mir eingefallen ist, aber keinen Erfolg gehabt.
Anbei mal der Schaltplan und die mittels Transistor-Tester gemessenen Daten der beiden Transistoren unterschiedlicher Hersteller.
Wer hat Ideen für mich, meine einzigste Idee ist dass der Arbeitspunkt vielleicht auf Grund der abweichenden Daten von Transistor 2 nicht stimmt.
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ich würde mir da keine Arbeit machen und nach einer seriöseren und damit teureren Bezugsquelle suchen. Manche Chinesen nehmen ein Bauteil mit gewissen Grundeigenschaften und drucken einfach eine x-beliebige Typenbezeichnung drauf.
Wie bei deinem J310 (der fafür auch bekannt ist) ist es mir zuletzt mit folgenden Bauteilen gegangen:
@ Walter, eigentlich dachte ich die JFets kommen aus einer seriösen Quelle, (gleiche Quelle von beiden Herstellern) bestelle da öfters, bisher keine Probleme, aber wer weiß. Die verkaufen ja auch nur und produzieren nicht selber.
Leider ist der gut funktionierende JFet fast nicht mehr zu bekommen und sehr teuer, daher hatte ich den anderen bestellt, bevor ich die alle in die Tonne kloppe würde ich doch gerne herausfinden was jetzt der Grund für dieses Verhalten vom Transistor ist.
damit der Oszillator funktionieren kann, braucht es eine ausreichend grosse Kapazität vom Source nach Masse, die zusammen mit dem Rückkopplungskondensator (der zwischen Source und Gate) einen Spannungsteiler bildet und so für die Hochtransformation der Spannung vom Source zum Gate sorgt. In dieser Schaltung war wohl die parasitäre Schaltungskapazität und die Eingangskapazität des Puffers dafür zuständig. Ist nun die Kapazität des FETs etwas kleiner, reicht es halt nicht mehr...
ich habe jetzt den Arbeitspunkt des Transistors verändert, der Source Widerstand (330R) hat jetzt 82R, die Leistung vom Bandanfang bis Bandende ist nun fast gleich. Gegenüber vorher Null! Milliwatt am Bandende.
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