Typenschlüssel für Halbleiterbauelemente aus der DDR.
Liebe Leser des Forums.
Wer sich einmal mit den Vergleichslisten von ECA abgeplagt hat, kennt die Schwierigkeiten bei der Ermittlung von Halbleiterdaten und ihren Äquivalenzen. Der in der DDR eingeführte Typenschlüssel kennt zwei Varianten. Anfangs bedeutete der erste Buchstabe "O" ohne Heizung. Für Halbleiterdioden wurde als zweiter Buchstabe ein "A" verwendet, in Anlehnung an die Klassifizierung bei Röhren. Leistungsdioden auf Germaniumbasis wurden mit dem Buchstaben "Y" bezeichnet. Zenerdioden in Legierungstechnik bilden eine Ausnahme. Diese wurden mit ZA250 gefolgt von der Zenerspannung bezeichnet. Bei Transistoren wählte man als zweiten Buchstaben ein "C", wieder in Anlehnung an den Röhrenschlüssel mit der Bedeutung Triode. Mitte der sechziger Jahre erfolgte dann eine Umstellung des Bezeichnungsschlüssels. Der erste Buchstabe gibt Auskunft über das Halbleitermaterial, "G" für Germanium, "S" für Silizium. Der zweite Buchstabe bezeichnet die Anwendung. Für kleine Dioden wurde weiterhin der Buchstabe "A" verwendet, "Y" bezeichnet Leistungsdioden und der Buchstabe "Z" weist auf eine Zenerdiode hin. Fotodioden tragen den Buchstaben "P", zum Beispiel GP119. Bei den Transistoren weist der zweite Buchstabe "C" auf einen NF- Transistor, der Buchstabe "F" auf einen HF- Transistor hin. Mit dem Buchstaben "D" wird ein Leistungstransistor bezeichnet, der Buchstabe "S" benennt einen Schalttransistor. Alle in der DDR gefertigten Germaniumtransistoren sind vom Leitfähigkeitetyp "PNP". Der Bedarf an NPN- Typen wurde durch Importe abgedeckt. So erklärt es sich, daß Komplementärschaltungen mit Germaniumtransistoren generell Importe enthalten. Dioden in Silizium- Epitaxialtechnik verwenden drei Buchstaben zur Kennzeichnung. Glasdioden, vergleichbar mit der 1N4148, wurden vom VEB WF Berlin hergestellt und haben die Typenbezeichnung SAY10 bis 15. Anfang der siebziger Jahre wurde die Fertigung dieser Typenreihe zugunsten der Fertigung von plastverkappten Dioden eingestellt. Einzig die Zenerdiode wurde weiter im Glasgehäuse gefertigt, hatte die Typenbezeichnung SZX, gefolgt von der Angabe der Zenerspannung und wurde durch die farbliche Gestaltung des Typenaufdrucks in den Baureihen 18 und 19 unterschieden. Dabei entspricht die Baureihe 19 einer Staffelung der Z- Spannung entsprechend der Reihe E24, die Reihe 18 ist gröber toleriert. Bei Schaltkreisen gint es die Baureihen D für digitale TTL- Schaltkreise. Die Baureihe A beinhaltet analoge Schaltkreise und ist teilweise mit der Baureihe TDA identisch. Schaltkreise mit dem Buchstaben V sind C- MOS- Schaltkreise. Da noch heute einige Halbleiter aus der DDR- Fertigung angeboten werden, ist die Kenntnis des Typenschlüssels eine Unterstützung zur Entscheidungsfindung.
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Re: Typenschlüssel für Halbleiterbauelemente aus der DDR.
Ich finde die Typenbezeichnung der DDR-Halbleiter logischer und schlüssiger, als die bundesdeutsche oder gar noch extrem chaotischer die amerikanische oder japanischen Baureihen, was aber nichts mit der Qualität der bauelemente zutun hat.
Re: Typenschlüssel für Halbleiterbauelemente aus der DDR.
Hallo Pluspol.
Der "bundesdeutsche" Typenschlüssel hat durchaus eine Logik. Hier steht A für den Werkstoff Germanium, B für Silizium an erster Stelle. Der zweite Buchstabe beschreibt Einsatz und Art des Bauelementes. A steht für Diode, Y für eine Leistungsdiode. Mit Z wird eine Zenerdiode bezeichnet. Mit C an zweiter Stelle ist ein NF- Kleinleistungstransistor, mit D ein Leistungstransistor bezeichnet. Der Buchstabe F verweist auf HF- Einsatz, allerdings werden auch MOS- Transistoren so bezeichnet, zum Beispiel BF245. Transistoren, deren Typenbezeichnung mit "G" beginnt, weisen auf den Gerätehersteller Grundig hin und sind Parallelbezeichnungen zu den Standardtypen. Bei amerikanischen Bauelementen steht 1N für Diode, 2N für Transistor. Mitunter gibt die vierstellige Ziffernfolge eine Gruppenzugehörigkeit, z. B. Zenerdiode, an. Das muß aber nicht so sein.
Re: Gehäuseaufdrucke bei Halbleiterbauelemente aus DDR Geräten.
Hallo Wolle,
ich habe Deine Beiträge gelesen.
Vielleicht können Sie mir bei meinem Problem helfen. Vor einiger Zeit habe ich u. a. eine Anzahl von Halbleiterbauelementen bekommen, die aus alten DDR-Geräten stammen. Leider kann ich mit den darauf befindlichen Bezeichnungen überhaupt nichts anfangen bzw. finde keine Systematik heraus.
Bei meinem Recherchen bin ich auf eine Liste mit Halbleiterbauelementen aus der DDR Produktion unter
gestoßen. Hier habe ich zumindest die Gehäuseform/Abmessungen der Elemente gefunden. Zum überwiegenden Teil haben die Elemente drei, aber auch teilweise zwei Anschlüsse. Die Gehäuseform ist quadratisch 4,2x4,2 mm und eine Stärke von circa 2,5 mm. Sie entspricht den Gehäusetypen/Anschlussschema auf Seite 1 Nr. 5 und auf Seite 2 Nr. 4 und 5. Einen Bezug zwischen den dort aufgeführten Typen und den auf den Elementen vorhandenen Aufdrucken kann ich nicht herstellen.
Beispielhaft möchte ich die folgenden zweizeiligen Aufdrucke von Elementen mit drei Anschlüssen nennen: D T4/C 39; C K 0/F 15; E L9/C 07; DKD/C 06
Re: Typenschlüssel für Halbleiterbauelemente aus der DDR.
Hallo 1613anni
Herzlich Willkommen im Forum. Die Bezeichnung bei Miniplast- Bauelementen ist eingekürzt, weil die bedruckbare Fläche klein ist. Neben der Typenbezeichnung wird auch noch ein Herstellungscode gestempelt, der sich aus Ziffern und Buchstaben zusammensetzt. Zu den Beispielen. DT4 Herstellungscode, C39 Typ SC239, rauscharmer NF- Transistor. CK0 Herstellungscode, F15 Typ SF215, HF- Transistor. EL9 Herstellungscode, C07 Typ SC207, NF- Transistor. DKD Herste3llungscode, C06 Typ SC206, NF- Transistor.
Die Anordnung des Stempels auf dem Körper ist abhängig vom Herstellungszeitraum. Der erste, nicht gedruckte Buchstabe ist ein S für das Halbleitermaterial Silizium, der zweite gedruckte Buchstabe gibt den Einsatzzweck an.
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