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JA, mit R58 an T24 auf: C-12.07, E-10.53 B-11.18 V justiert (ca. Mittelbereich) Die restlichen Spg. verändern sich an den folgenden T25-30 dadurch < 100mV.
Schaltpositionen eingehalten. Weiter Transen ausgetauscht mit ß>300: T32 und T33.......
der Fehler liegt, denke ich mal im Umkreis des FETs. R71, R72 nachmessen - ist Der richtig eingelötet. Unterschiedliche Spannung FET-S und B-T33 obwohl beide verbunden sind. Mir scheint, es fließt zuviel Stom über den FET – falscher Typ ? defekt ?
Viele Grüße Bernd
Zwei Dinge sind unendlich, das Universum und die menschliche Dummheit, aber bei dem Universum bin ich mir noch nicht ganz sicher. (Albert Einstein)
das ist einer meiner Mankos. Woher weiß ich, dass der FET defekt ist? Schlüsse hat er nicht. Unterschiedliche Spg. (dachte ich) ist i.O.
An G und D liegt ein negativer Sägezahn an - allerdings < 2V und nur beim 50HzTestsignal. 7V sind lt. Handbuch "unterwegs". Da dieser Typ kaum ein Spg.-Verstärkung hat, bin ich von i.O. ausgegangen.
Der FET bleibt nach 3 Monaten Frickeln nach Eva Klein nur noch übrig... Ist der "original" FET. FETs habe ich nicht in der "Sammlung"
Dann werde ich wohl die Spg am FET und T33 nicht zur gleichen Zeit gemessen haben....??? Werde ich nochmal messen. Du bist schon sehr aufmerksam. Respekt!!
die FETs gibts in der Bucht - zehn für einen Zehner.
Testen kannst Du den nur, wenn Du ihn auslötest und und eine kleine Testschaltund aufbaust.
Messen IDss: Wenn Du Gate mit Source verbindest in der Drainleitung einen Strommesser dann muß IDss fließen - UB unkritisch 10V. Messen Abschnürspannung: In die Drainleitung einen Strommesser UB 10V(Drain/Source) , an Gate einen 1M-Widerstand und eine regelbare Spannungsquelle an 1M und Source so einstellen, daß der Stromfluß ID gerade aufhört.
Diese Werte sind sehr unterschiedlich bei unterschiedlichen Typen, also ins Datenblatt gucken.
Der Fet dient hier nur als Impedanzwandler. Der ist als Sourcefolger geschaltet.
Aber Gucke dir auch die FET-Umgebung genau an - Leiterzugrisse , Schlüsse Widerstände Kondensatoren, aber erst nachdem Du den Fet getestet hast.
Meiste Fehler beim FET, die Gatesperrschicht ist durchgeschlagen. Die Gatediode funktioniert zwar noch, aber deren Sperrstrom ist zu hoch.
Viele Grüße Bernd
Zwei Dinge sind unendlich, das Universum und die menschliche Dummheit, aber bei dem Universum bin ich mir noch nicht ganz sicher. (Albert Einstein)
wenn det genau das Testgerät bestellt hat welches ich ihm empfohlen habe, ich hab lange Testreihen damit gemacht und hätte den Tip nicht gegeben wenn es nicht funktionieren würde. Das ist nicht erste Generation, die kleinen Tester werden immer besser, da steckt eine Menge Arbeit hinter. Es gelang mir nicht, ihm einen defekten oder teildefekten Fet unterzujubeln, entweder es zeigte den korrekt an, oder als damaged part wenn er kaputt war. Lediglich bei Germaniumtransistoren mit Leckströmen kam es zu Irrtümern aber selbst die sind zweifelsfrei erkennbar. Es wird die JFETs erfolgreich testen.
J Fet sind Verarmungstypen, d.h. wenn die keine Ansteuerspannung haben leiten sie voll. Wenn du so einen direkt zwischen 10V und Masse hängst brennt er sich tot, da muss Widerstand rein bei I. Den dimensionierst du für Messaufbau so daß der höchstzulässige Strom nicht überschritten werden kann.
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